全部型号

K4F6E3S4HM-THCL02V

制造商型号：
K4F6E3S4HM-THCL02V
制造商：
Samsung Electronics
产品类型：
LPDDR4 SDRAM
系列：
K4F6
封装：
200-FBGA

产品属性

属性数值
FamilyLPDDR4 low-power DDR4 mobile DRAM
Density16 Gbit LPDDR4 low-power DDR4 mobile DRAM
Supply VoltageVDD1 1.8 V; VDD2 1.1 V
Speed4266 Mbps data rate
ComplianceJEDEC LPDDR4
RefreshAuto refresh and self refresh
Package Details200-ball FBGA

产品详细说明

K4F6E3S4HM-THCL02V 是 Samsung K4F6 系列的 LPDDR4 SDRAM。 本型号的供电电压为 VDD1 1.8 V; VDD2 1.1 V。封装为 200-FBGA。

质量 · 运输 · 付款

详情

质量确认

发货前核对批次、封装、标签及丝印。可按需提供验货照片，并协助第三方检验。

运输

支持全球交付。承运商、交期及买方指定货代要求，在报价时确认。

付款

付款方式、币种及贸易条款，以正式报价或形式发票为准。