开关、整流与保护

分立器件与功率半导体

MOSFET、IGBT、SiC 与 GaN 功率器件，以及二极管、整流器和功率模块，适用于汽车电子、AI 服务器供电、工业驱动、储能及高效电源转换等应用。

产品范围

器件类型

在电源转换、负载开关和电机驱动电路中控制电流通断。

在电机驱动、牵引逆变器和工业变换器中切换高压大电流通路。

为电动车牵引、充电和能源转换设备提供高压开关功能。

用于紧凑型、高频电源变换器的快速开关。

将功率开关或整流器件组合封装，用于逆变器、电机驱动和大功率转换。

在整流、续流和信号导向电路中提供单向导通通路。

在高压变换器中承担整流与续流，降低反向恢复损耗。

抑制电源线和信号线上的瞬态过压，保护后级电路。

在驱动与接口电路中放大信号或作为受控开关。

应用与选型

相关器件：硅基 MOSFET · GaN FET

48 V 级母线向加速器板卡供电时，低压大电流使导通损耗与板上散热成为重点。比较硅基 MOSFET 在工作温度下的导通电阻、栅极电荷与开关损耗；采用高频方案时，还需核对 GaN 的驱动与布局条件。

相关器件：SiC MOSFET 模块 · IGBT 模块

牵引逆变器将电池直流电转换为电机所需的三相电。按母线电压、峰值相电流和行驶工况，比较 SiC 与 IGBT 模块的损耗、短路能力及冷却需求。

相关器件：IGBT · 功率模块

电机启动、制动与连续运行带来过载和反复热循环。按直流母线电压、PWM 频率及负载周期，核对 IGBT 的通态压降、关断损耗与模块散热条件。

相关器件：SiC MOSFET · IGBT

MPPT DC/DC 与并网 DC/AC 电路对器件耐压和开关频率的要求不同。根据系统电压及两电平或三电平拓扑确定耐压，再比较 SiC 与 IGBT 在目标工况下的损耗和散热。

相关器件：SiC 功率模块 · IGBT 功率模块

储能变流器在充电与放电两个方向工作，电池电压也随荷电状态变化。按完整电压范围选择模块，并核对两个功率方向的损耗、短时过载及热循环。

型号参考

按开关、整流和防护功能排列，包含硅基、SiC 与 GaN 器件及功率模块。