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IRLML6402TRPBF

Infineon Technologies

产品属性

属性	数值
Function / Topology	Single P-channel enhancement-mode power MOSFET
Input Voltage	Drain-source rating -20 V; gate-source rating ±12 V
Output Current	-3.7 A at VGS=-4.5 V, TA=25°C
On Resistance	65 mΩ at VGS=-4.5 V, ID=-3.7 A, TJ=25°C; 135 mΩ at VGS=-2.5 V, ID=-3.1 A
Gate Threshold	-0.40 to -1.20 V
Total Gate Charge	8 nC typical / 12 nC max at ID=-3.7 A
Power Dissipation	1.3 W at TA=25°C
Junction Temperature	-55°C to +150°C
Lifecycle	Obsolete
Package Details	3-pin Micro3 / SOT-23, 2.8–3.04×2.1–2.64 mm, 0.95 mm pitch

发货前核对批次、封装、标签及丝印。可按需提供验货照片，并协助第三方检验。

支持全球交付。承运商、交期及买方指定货代要求，在报价时确认。

付款方式、币种及贸易条款，以正式报价或形式发票为准。