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BSC027N04LS G

Infineon Technologies

产品属性

属性	数值
Device Type	N-channel enhancement-mode trench power MOSFET, OptiMOS 3 technology, logic-level gate
Voltage Rating	VDS 40 V, VGS ±20 V
Current Rating	ID 139 A at TC=25°C, ID_pulse 556 A
On-Resistance RDS(on)	2.7 mΩ at VGS=10 V, ID=50 A; 3.6 mΩ at VGS=4.5 V
Total Gate Charge Qg	55 nC typical at VGS=10 V, VDS=20 V
Power Dissipation	104 W at TC=25°C
Gate Threshold Voltage	VGS(th) 1.2 V to 2.0 V
Input Capacitance Ciss	5100 pF typical
Operating Temperature	-55°C to +150°C (TJ)
Package Details	SuperSO8 (TDSON-8) 5×6 mm

发货前核对批次、封装、标签及丝印。可按需提供验货照片，并协助第三方检验。

支持全球交付。承运商、交期及买方指定货代要求，在报价时确认。

付款方式、币种及贸易条款，以正式报价或形式发票为准。