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IRF200P222

制造商型号：
IRF200P222
制造商：
Infineon Technologies
产品类型：
N-Channel MOSFET
系列：
StrongIRFET
封装：
TO247
描述：
Power MOSFET

产品属性

属性数值
Function / TopologySingle N-channel enhancement-mode power MOSFET
Input VoltageDrain-source rating 200 V; gate-source rating ±20 V
Output Current182 A at VGS=10 V, TC=25°C; 129 A at TC=100°C
On Resistance5.3 mΩ typical / 6.6 mΩ at VGS=10 V, ID=82 A, TJ=25°C
Gate Threshold2.0–4.0 V
Total Gate Charge135 nC typical / 203 nC max at ID=82 A, VDS=100 V
Power Dissipation556 W at TC=25°C
Junction Temperature-55°C to +175°C
LifecycleDiscontinued / End of Life
Package Details3-pin TO-247AC, TO-247 class

质量、运输与付款

质量确认

发货前核对批次、封装、标签及丝印。可按需提供验货照片，并协助第三方检验。

运输

支持全球交付。承运商、交期及买方指定货代要求，在报价时确认。

付款

付款方式、币种及贸易条款，以正式报价或形式发票为准。

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