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BSC123N08NS3 G

Infineon Technologies

产品属性

属性	数值
Function / Topology	Single N-channel enhancement-mode power MOSFET
Input Voltage	Drain-source rating 80 V; gate-source rating ±20 V
Output Current	55 A at VGS=10 V, TC=25°C; 35 A at TC=100°C
On Resistance	12.3 mΩ at VGS=10 V, ID=33 A, TJ=25°C; 24 mΩ at VGS=6 V, ID=16 A
Gate Threshold	2.0–3.5 V
Total Gate Charge	19 nC typical at VDD=40 V, ID=20 A
Power Dissipation	66 W at TC=25°C
Junction Temperature	-55°C to +150°C
Lifecycle	Active
Package Details	8-pin SuperSO8 5×6, 5×6 mm

发货前核对批次、封装、标签及丝印。可按需提供验货照片，并协助第三方检验。

支持全球交付。承运商、交期及买方指定货代要求，在报价时确认。

付款方式、币种及贸易条款，以正式报价或形式发票为准。