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IRF640NPBF

Infineon Technologies

产品属性

属性	数值
Product Category	Power Discretes
Drain-Source Voltage (VDS)	200 V
RDS(on) max	150 mΩ @ VGS = 10 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th))	2.0 - 4.0 V
Technology	HEXFET
Operating Temperature	-55 to 175 °C
Package / Pins	PG-TO220-3, 3 pins
Qualification	JEDEC standard qualification (Industrial)
Function / Topology	N-Channel MOSFET
Output Rating	200 V / 18 A
Package / Orderable Variant	PG-TO220-3, 3 pins; exact suffix IRF640NPBF
Package Details	PG-TO220-3, 3 pins

发货前核对批次、封装、标签及丝印。可按需提供验货照片，并协助第三方检验。

支持全球交付。承运商、交期及买方指定货代要求，在报价时确认。

付款方式、币种及贸易条款，以正式报价或形式发票为准。