产品属性

属性

数值

Function / Topology

Single N-channel enhancement-mode power MOSFET

Input Voltage

Drain-source rating 30 V; gate-source rating ±20 V

Output Current

61 A at VGS=10 V, TC=25°C; 56 A at VGS=4.5 V, TC=25°C

On Resistance

4.4 mΩ at VGS=10 V, ID=20 A, TJ=25°C; 5.3 mΩ at VGS=4.5 V, ID=20 A

Gate Threshold

1.2–2.0 V

Total Gate Charge

5.2 nC typical at VGS=4.5 V; 11 nC at 10 V

Power Dissipation

27 W at TC=25°C; 2.1 W at TA=25°C

Junction Temperature

-55°C to +150°C

Lifecycle

Active and preferred

Package Details

8-pin TSDSON-8 FL / PQFN 3×3, 3.2×3.2 mm, 0.65 mm pitch

发货前核对批次、封装、标签及丝印。可按需提供验货照片，并协助第三方检验。

支持全球交付。承运商、交期及买方指定货代要求，在报价时确认。

付款方式、币种及贸易条款，以正式报价或形式发票为准。

BSZ0506NS

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