SK 海力士已批准一项总额为 54.3 万亿韩元（约 380 亿美元）的资本支出计划，用于建设两座新的存储器工厂。这是其 2026 年 6 月首次提出的中长期扩张战略的第二阶段。董事会于2026 年 8 月 7 日公布的决定，将资金分配给首尔附近的 DRAM/HBM 基地和韩国中部的 NAND 闪存基地。
获批项目 #
- 龙仁“Y2”——35.2 万亿韩元。 龙仁半导体集群规划建设四座工厂，Y2 是其中第二座，定位为生产 HBM 及其他下一代 DRAM 的基地。项目计划于 2027 年 7 月动工，首个洁净室目标于 2029 年 6 月建成；投资将分阶段持续至 2031 年 10 月。
- 清州“M17”——19.1 万亿韩元。 项目位于现有清州园区，该园区已有 M11、M12 和 M15 工厂。新厂将生产 NAND 闪存，计划于 2027 年 2 月动工，首个洁净室目标于 2028 年 12 月建成；分阶段投资将持续至 2031 年 4 月。
两个项目属于 6 月公布的更大投资框架：龙仁集群约 600 万亿韩元，清州基地扩建约 100 万亿韩元。龙仁首座工厂 Y1 已在建设中，首个洁净室预计于 2027 年 2 月建成；整个集群的完工目标也由原先的 2045 年提前至 2033 年。
为什么现在投资 #
SK 海力士将此举定位为对结构性需求、而非周期性需求的回应。公司援引 Omdia 的预测指出，在 AI 训练和推理、企业级 SSD 普及以及推理流程中的 KV 缓存存储推动下，DRAM 与 NAND 需求至 2030 年的复合年增长率预计约为 19%。
公司强调，竞争关键不只是技术，还包括交付能力。其表述是：“在 AI 时代，仅有技术竞争力还不够；在客户需要的准确时点供应所需数量的能力，才是最终的竞争优势。”公司希望通过提前建设生产基础设施，保障全球 AI 半导体供应链的稳定。
采购方需要注意什么 #
新增产能属于未来规划，不会立即投产。Y2 和 M17 在 2028—2029 年之前都不会贡献可观产量，因此这一公告不会缓解 2026—2027 年 HBM、DDR5 和企业级 NAND 的供应紧张。就当前生产而言，既有产线的现货仍是实际可用的来源，例如现在可供应的 SK 海力士 DDR4 器件 H5AG38EXNDX026N。
对采购规划而言，这传递的信号恰恰不是短期供应将放松：一家全球前三的存储器厂商正在以 AI 需求长期持续为前提，锁定跨多年的基础设施投资。这意味着应尽早敲定 2027—2028 年的供货配额，并预期产能在本十年较长一段时间内仍是主要约束。
*来源：SK 海力士官方新闻中心（news.skhynix.com，2026 年 8 月 7 日）；韩联社、《韩国先驱报》和 BusinessKorea 同日报道予以佐证；需求复合年增长率数据由 SK 海力士援引 Omdia。*