SK hynix 在 2024 年 7 月发布 GDDR7 图形显存：标称每引脚 32 Gb/s，特定条件下可达 40 Gb/s；搭配高端显卡时，原厂称整卡显存带宽可超过 1.5 TB/s。它还改动了封装以降低热阻。开发工作在当年 3 月完成，发布时计划于第三季度开始量产。这些数字讲的是当时展示的产品能力，不能直接套到每一颗后来上市的订货型号上。
32 Gb/s 与 1.5 TB/s，分别是谁的速度 #
32 Gb/s 是单条数据引脚的传输速率，1.5 TB/s 则是显卡上整组显存与 GPU 之间的理论带宽量级。总线越宽，同样的引脚速率就能提供越大的带宽。以 384 位总线为例，32 Gb/s × 384 ÷ 8 = 1.536 TB/s。这能解释原厂所说的“超过 1.5 TB/s”如何实现，但 SK hynix 并未公布公告中那块显卡的实际总线位宽。实际程序能取得多少吞吐量，还取决于访问方式、控制器和工作状态。
相比上一代产品，SK hynix 当时公布的速度提升为 60%，能效改善超过 50%。这里的能效说的是单位功耗能够完成的传输工作，不等于一张显卡的总功耗下降 50%。同样，“特定条件下可达 40 Gb/s”是技术能力描述，不是所有 GDDR7 型号或所有板卡都能运行在 40 Gb/s。
把接口推到这样的速度，难点也不只是显存颗粒本身。GDDR7 使用 PAM3 三电平信号；SK hynix 后续技术说明还谈到用 T-coil 改善高频信号传输，以及用独立写时钟控制数据时序。显存、GPU 控制器和板上走线需要共同满足高速信号要求。因此，单看颗粒的峰值速率，无法判断它放到某张现有板卡上能跑到多快。
四层改六层，解决的是封装内的散热路径 #
速度提高后，热量能否及时从显存器件传出也更受关注。SK hynix 把封装内的散热基板从四层增至六层，并采用环氧模塑料（EMC），同时保持产品外形尺寸不变。原厂公布的结果是：与上一代相比，封装热阻降低 74%。EMC 负责保护芯片，散热基板和封装结构则影响热量向外传递的路径；这两项封装改动是原厂解释热阻改善时给出的做法。
热阻降低 74%，并不是器件工作温度降低 74%。器件自身的功耗、显卡的散热器、风道和板卡布局，都会影响最终温度。原厂的封装改进能给高数据率工作创造条件，但不能替代整卡的热设计与验证。
SK hynix GDDR7 的具体型号 #
SK hynix 当时把高规格 3D 图形、AI、高性能计算和自动驾驶列为 GDDR7 的预期应用。新闻稿谈的是这代显存能达到的性能，没有列出完整订货型号。
H57G42MP2AX006N 是 16 Gbit 器件，H57GD2MP23X009N 是 24 Gbit 器件。